非破壊解析ではX線/CT観察・超音波探傷観察（SAT）等を行います。
半破壊解析ではLSIのPKG開封・ドライエッチング解析等を行います。
破壊解析では断面/平面研磨観察・微細配線の切断加工・成分分析等を行います。
| 調査解析サービス内容 |
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| 解析項目 | 解析手法 | 主設備 | 内容 |
外観解析 |
・リードの変形、変色 ・PKGクラック、欠損 ・異物の付着 |
実体顕微鏡は、左右独立した光学系を持ち、試料を立体的に観察することができ外観観察に適しています。デジタルマイクロスコープは、深度合成、2D計測、HDR機能等搭載により、マルチで高解像度観察が可能です。 | |
非破壊解析 |
X線透視観察 | X線装置 | 軟X装置によりワイヤボンドの状態やペーストの濡れ性、ボイドの有無などを観察することができます。 |
| μF-X線透視観察 | マイクロフォーカスX線透視装置 | 0.4μm焦点の高解像・高コントラストで、通常のX線観察では見えない超微細な接合状態や断線・短絡の観察。高密度実装基板やBGA・CSPのボイドやハンダ形状などの究極の観察を実現。 | |
| μF-X線透視/CT観察 | マルチフォーカスX線CT装置 | マルチフォーカスX線管、フラットパネルディテクタ搭載により、高出力、高解像での観察が実現。また、ハイパワーモードにより硬い材料にも対応可能。CT機能により、はんだ接合等3次元立体（3D観察）、各断層観察（スライス観察）も可能。 | |
| 超音波解析 | SAT | 超音波探傷装置により超音波（反射波）を用いて、半導体・電子部品内部の剥離・ボイド・クラックを非破壊で検査、解析することができます。鉛フリーはんだ耐熱評価に威力を発揮します。 | |
| 粒子衝突雑音検出 | PIND試験装置 | ハイブリットＩＣ等に振動や衝撃を加え、内部 に存在する異物の有無を判定することが出 来ます。異物混入によるショート等の事故を 未然に防ぐことが出来ます。 |
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半破壊解析 |
PKG開封 | レーザーパッケージ開封機 パッケージオープナー |
レーザー開封や発煙硫酸などの溶剤を使用して、パッケージオープナ-による開封と手作業で開封するマニュアル開封があり、目的あるいは形状などによって使い分けます。また、パッケージの種類によっては機械的な開封も実施します。 |
| 内部表面観察 | 金属顕微鏡 | 金属顕微鏡は、試料に対して光を照射し、その反射光や透過光の明暗や色のコントラストにより、試料を観察します。明視野・暗視野・透過光観察が可能で、画像はデジタル媒体・高画質で提供可能です。 | |
エミッション顕微鏡解 |
EMS（EMMI） OBIRCH |
エミッション顕微鏡は、LSIからの微弱発光現象を高感度カメラで捉え、パタンデータと重ね合わせることで、故障箇所絞込みに威力を発揮致します。 オバーク解析は、導体の熱的抵抗変化による電流の微小変化を高精度アンプで捉えることで、LSIの故障箇所絞込みが可能です。 |
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破壊解析 |
断面解析 | 精密切断機 研磨機 |
BGA・CSPのはんだバンプ等の接続状態をピンポイントでの断面研磨加工を行います。また、基板等へのはんだ実装で問題となる、リフトオフ現象及びスルーホール内部の確認に適しています。 |
CP（クロスセクション） ミリング（イオンミリング） |
クロスセクションポリッシャ | アルゴンイオンビームを用いた断面試料作成法で機械研磨では消せないスクラッチ傷、面ダレを無くし、フラットな断面試料作成が可能です。特に複合材料の層構造の界面や結晶方位等の観察に有効です。 | |
| ディンプル研磨 | ディンプルグラインダー | チップ表面より数ミクロン単位で任意の場所をディンプル状に正確に磨きだし、厚い縁を残したまま5～10μmの薄膜を迅速に作製します。 | |
| SEM観察 | 電子顕微鏡 | 電子顕微鏡は、試料表面に電子ビームを照射したときに試料表面から放出される2次電子（凹凸情報含）を検出し、3次元の立体的な画像が高倍率で観察、撮影が出来ます。 | |
| 成分分析 | EDX | 電子顕微鏡に取り付けており、観察、分析試料から発生する特性X線を検出することで、試料に含まれる元素の定性・定量分析及び分布状態（カラーマップ）を調べることができます。 | |
| エッチング加工 | ドライエッチング装置 | 異方性・等方性の選択エッチング、ファインプロセスＬＳＩ、多層配線にも対応したエッチング加工が可能です。 | |
| FIB加工・観察 | FIB | LSI等の導電体の微小箇所（50um～0.5um程度）の断面加工、観察（SIM像）、LSIの配線修正が実現可能です。 |